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技術(shù)文章

IGBT功率模塊動(dòng)態(tài)特性
        IGBT功率模塊在開(kāi)口的過(guò)程中，大部分時(shí)間是盡可能的MOSFET運(yùn)行，只是在漏源電壓UDS下降以，PNP晶體管的后期通過(guò)擴(kuò)增區(qū)飽和，和增加延遲。 TD（上），用于在延時(shí)開(kāi)口，三對(duì)電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常給出的漏電流開(kāi)通時(shí)間ton是TD（上）三，漏電壓源的下降時(shí)間由tfe1 tfe2的。 
        IGBT功率模塊的觸發(fā)和關(guān)閉請(qǐng)求到柵和基具有正電壓和負(fù)電壓，柵極電壓可以由不同的驅(qū)動(dòng)電路之間就產(chǎn)生了。當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路必須基于以下參數(shù)：設(shè)備關(guān)閉偏壓，柵極電荷，高堅(jiān)固性和功率。由于IGBT柵極 - 發(fā)射極阻抗大，所以它可以觸發(fā)使用MOSFET驅(qū)動(dòng)技術(shù)，但由于IGBT比MOSFET的高輸入電容，使         IGBT功率模塊關(guān)斷偏壓應(yīng)該比許多MOSFET驅(qū)動(dòng)電路提供偏置較高。 
        IGBT功率模塊在關(guān)斷過(guò)程中，漏電流波形一分為二。由于MOSFET關(guān)閉后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速消除，造成漏電流長(zhǎng)尾時(shí)間，TD（關(guān)閉）關(guān)閉延遲時(shí)間后，TRV電壓UDS（F）的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中經(jīng)常給出的漏極電流的泄漏被T（F1）和t（F2）的曲線圖下降時(shí)間（TF）是由兩部分組成，漏電流關(guān)斷時(shí)間 
T（關(guān)閉）= TD（關(guān)閉）+ TRV10噸（F）（）（） 
式：TD（關(guān)閉）和TRV和也被稱(chēng)為存儲(chǔ)時(shí)間。 IGBT的開(kāi)關(guān)速度比MOSFET的低，但它比GTR顯著高。 IGBT關(guān)斷不需要門(mén)負(fù)壓，減少停機(jī)時(shí)間，但關(guān)機(jī)時(shí)間與柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻增大。導(dǎo)通IGBT的電壓約為3?4V，這相當(dāng)于MOSFET。當(dāng)IGBT的飽和電壓比MOSFET和GTR的下部和接近飽和電壓降低與柵極電壓的增加。 
       正式商用IGBT功率模塊的電壓和電流的能力有限，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿(mǎn)足電力電子技術(shù)應(yīng)用發(fā)展的需要;對(duì)于許多應(yīng)用高壓區(qū)，設(shè)備10kV以上電壓等級(jí)。目前，只能通過(guò)高壓IGBT功率模塊系列技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)高電壓應(yīng)用。國(guó)外的一些廠商如通過(guò)制定原則8KV IGBT器件的軟穿由ABB，瑞士，德國(guó)EUPEC生產(chǎn)6500V / 600A高電壓和大功率IGBT功率模塊已獲得實(shí)際應(yīng)用，東芝，日本也已經(jīng)涉足的領(lǐng)域。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高電壓，大電流，高速，低飽和壓降，高可靠性，低成本的技術(shù)，主要由小于1微米的生產(chǎn)工藝，開(kāi)發(fā)了一些新的進(jìn)展已經(jīng)取得進(jìn)展。 2013年9月12號(hào)我們自主研發(fā)的高電壓和高功率3300V / 50A IGBT的發(fā)展（絕緣柵雙極型晶體管）芯片，因此芯片封裝的高功率1200A / 3300V IGBT模塊由專(zhuān)家，因?yàn)橹袊?guó)擁有完全自主的IGBT的功率模塊