整流二極管模塊是半導體器件用于交流電變成直流電(dc)。通常它由PN結,陽極和陰極的兩個終端。其結構如圖1所示。承運人P的無效區域,N承運人是電子,P和N的范圍內形成一定的障礙。加電壓和正P區相對N區、勢壘降低,兩岸的障礙附近產生存儲載體,可以通過大電流,低電壓降(典型值為0.7 V),稱為狀態。如果加上反向電壓,增加障礙,可以承受反向電壓高,流經一個小反向電流(稱為反向漏電流),稱為反向截止狀態。整流二極管的單向導電性非常明顯。整流二極管模塊可以生產鍺或硅等半導體材料。整流二極管模塊的擊穿電壓高,反向漏電流小,高溫性能好。高壓大功率整流二極管通常由高純度硅(摻雜太容易反向擊穿)。這個設備結面積較大,能通過較大電流(*高可達上千安),但工作頻率不高,通常在幾千赫。整流二極管模塊主要用于各種低頻半波整流電路,如需要一起使用將需要實現全波整流器整流橋