這是非常簡單的，以確定可控硅模塊的三個極。根據p-n結的原理，它可以用來測量三電極之間的電阻。陽極和陰極和扭轉了在幾百千歐電阻之間，之間的陽極在幾百千歐的正向和反向電阻控制電極以上（其中有兩p-n結，但在相反的方向，所以陽極和控制極反向不通）。
控制極與陰極之間是一個PN結，因此它的正向電阻大約是幾歐元范圍數百歐元，反向電阻大于正向電阻。但是，控制不是很理想的二極管特性，反向不完全阻斷，可以有比較大的電流通過，因此，有時測量的反向電阻是比較小的，而且無法解釋控制是不好的。此外，在測量控制中的反向電阻，使用該表應放在10或1塊，以防止反向擊穿電壓太高。
      可控硅模塊是一種具有四層結構的高功率半導體器件，具有一三層結構。事實上，可硅控模塊的功能不僅是一個整流器，它也可以作為一種非接觸式開關快速接通或切斷電路，將直流電源轉換為交流逆變器，交流電頻率為不同頻率的交流電，等等。具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點的可控硅和其它半導體器件。看來，半導體技術從弱到強電磁場、工業、農業、交通、**和科學研究，甚至是商業、電氣等民用領域的組件。