IGBT是電力電子裝置的CPU,在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中,IGBT模塊更為重要。但是,IGBT模塊會經常出現爆炸的情況。
因為某些原因,模塊的損耗十分巨大,熱量散不出去,導致內部溫度極高,產生氣體,沖破殼體,這就是所謂的IGBT爆炸。下面,對IGBT爆炸的原因進行簡明扼要的介紹。
IGBT爆炸原因主要圍繞內部因素、人為因素、常見因素、其他因素四方面。
1、內部因素:
從爆炸的本質是發熱功率超過散熱功率,內部原因應該就是過熱。
2、人為因素:
●進線接在出線的端子上
●變頻器接錯電源
●沒按要求接負載
3、常見因素:
●過電流:一種是負載短路,另一種是控制電路處邏輯受干擾,導致上下橋臂元件直通。
●絕緣的損壞
●過電壓:通常是線路雜散電感在極高的di/dt作用下產生的尖峰電壓而造成,解決的辦法就是設計高性能吸收回路,降低線路雜散電感。
●過熱:IGBT不能完全導通,在有電流的情況下元件損耗增大,溫度增加導致損壞。
●通訊誤碼率:通訊一段時間后,突然的錯誤信息導致IGBT誤導通使IGBT爆炸;通訊板FPGA程序運行不穩定導致IGBT誤導通使IGBT爆炸。
4、其他因素:
●電路中過流檢測電路反應時間跟不上。
●IGBT短路保護是通過檢測飽和壓降,而留給執行機構的時間一般是10us(8倍過流)在上電的時候容易燒預充電電阻和制動單元里的IGBT。
●工藝問題:銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
●短時大電流:原因也有很多,比如死區沒設置好、主電路過壓、吸收電路未做好。
●驅動電源也是個應該特別注意的問題,該隔離加隔離、該濾波加濾波。
●電機沖擊反饋電壓過大導致IGBT爆炸。但是對于充電時爆炸的情況發生的概率不是很大。
●電機啟動時,輸入測電壓瞬間跌落,電容放電。輸入測電壓恢復后電容充電時的浪涌電流過大致使IGBT爆炸。
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