IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種復(fù)合了功率場效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,它同時(shí)具有MOSFET的高速開關(guān)及電壓驅(qū)動(dòng)特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實(shí)現(xiàn)較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡單的優(yōu)點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大的優(yōu)點(diǎn)。

近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來越廣泛的應(yīng)用。那么IGBT的測試就變的尤為重要了，IGBT的測試包括靜態(tài)參數(shù)測試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測試、短路測試、熱阻測試等，這些測試中*基本的測試就數(shù)靜態(tài)參數(shù)測試，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒有問題的情況下，才進(jìn)行像動(dòng)態(tài)參數(shù)（開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、續(xù)流二極管的反向恢復(fù)）、短路、熱阻方面進(jìn)行測試，在這里先介紹下IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，要進(jìn)行IGBT靜態(tài)參數(shù)測試，首先就要了解IGBT有哪些靜態(tài)參數(shù)？

IGBT靜態(tài)參數(shù)有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。

1、BVCES：在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的擊穿電壓。

2、ICES:在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

3、IGES:在集電極 C 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 VGE 下，IGBT 的柵極 G 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

4、VGE(TH):在一定的 IC 下，IGBT 的開啟電壓。

5、VCE(SAT):在柵極 G 和發(fā)射極之間加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的飽和壓降。

6、VF:在一定的 IE 下，續(xù)流二極管的電壓降。

要判斷一個(gè)IGBT器件的好壞，就需要對以上這些參數(shù)進(jìn)行測試，測試結(jié)果就要和IGBT生產(chǎn)廠家出的IGBT的規(guī)格書中的電氣特性這一欄里邊的范圍進(jìn)行比較，在范圍之內(nèi)就合格，否則不合格。

那怎么才能測出IGBT這些參數(shù)的結(jié)果呢？這就需要根據(jù)器件的datasheet中的電氣特性中所給出的測試條件，用一些電壓源、電流源來滿足這些測試條件，并把這些條件加到IGBT的端子上，然后用電壓表、電流表來測出值來。這種測試方法有一個(gè)弊端就是效率低，測一個(gè)參數(shù)，就要手動(dòng)去接一次線，測六個(gè)參數(shù)就要接六次線，測試一個(gè)IGBT器件就要做這么多的工作，所以這種方法費(fèi)時(shí)、費(fèi)力，不推薦用這種方法。

測試IGBT還是要用專業(yè)的測試設(shè)備，這里推薦一種IGBT專用的測試設(shè)備，就是易恩電氣生產(chǎn)的EN-3020C IGBT靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)功率源為3500V/1500A（可升級到6000V，4500A）。可以測IGBT模塊，半橋模塊，全橋模塊，雙單元模塊，四單元模塊，六單元模塊，七單元模塊。適合各大研究院所做元器件檢驗(yàn)，元件進(jìn)廠檢測篩選以及在線開發(fā)器件做生產(chǎn)測試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流的測試能力和增加測試品種范圍。自動(dòng)快速測試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試參數(shù)即可完成填表編程，操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語言知識，使用簡捷方便。