隨著國內IGBT行業龍頭企業斯達半導的上市，并擠進全球IGBT模塊供應商TOP 10，國產替代技術已經達到門檻。功率半導體是半導體行業的細分領域，雖不像集成電路一樣被大眾熟知，但其重要性不可忽視。1990-2010年，這20年時間內，IGBT節能效果為全球客戶累計節省了約18萬億美元，減少了約100萬億磅的二氧化碳排放。IGBT作為電子電力裝置和系統中的“CPU”，高效節能減排的主力軍，有著強大的生命力，我們現在還離不開IGBT！那么我國的上游IGBT企業實力究竟如何呢？

IGBT的本土市場機遇

什么是IGBT呢？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor 的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次具代表性的產品，是工業控制及自動化領域能源變換和傳輸的核心元器件。簡單來說，IGBT可以理解為“非通即斷”的開關，它可以將直流電壓逆變成頻率可調的交流電，主要用于變頻逆變和其他逆變電路，被稱為是電力電子裝置的“CPU”。

進入21世紀以后，全球能源日趨緊張，各國都在積極采用開源節流的方式控制能源。由于IGBT在電能轉換中扮演的重要角色，它能夠為各種高電壓和大電流應用提供更高的效率和節能效果，被廣泛應用于工業控制、新能源、變頻家電等領域。特別是在新能源汽車中，IGBT 模塊占電動車整車成本約5%左右，是除電池之外成本**高的元件。根據IHS預測，全球汽車電動化用IGBT模塊未來5年復合增長率高達23.5%。目前國內IGBT供需差距巨大，國產量僅為市場銷量的七分之一。

2018 年國內市場 IGBT 模塊需求量為7898萬只，但是國內產量只有1115萬只，供需缺口巨大。據業內人士透露，IGBT整體市場規模會保持每年10%以上的增長速度，主要受益于新能源汽車行業的發展。但是國產IGBT的增長速度會遠高于此，以上市公司斯達半導體為例，2016年至2018年，連續保持45%以上的增長率。國內諸多公司以IGBT為主營業務的公司實現了高速增長。

尤其在經過貿易戰的洗禮后，越來越多的下游廠商主動開始嘗試接受國產IGBT，這就給了國產IGBT更多的試錯機會，從而促進了國產IGBT的技術迭代，讓國產IGBT進入了一個良性的迭代循環的過程。IGBT的國產替代已經進入了高速增長期，越來越多的中小型客戶已經完成了高比例的國產化，在工業領域以及部分細分領域，國產化率已經達到50%以上。

雖然新能源汽車的需求潛力巨大，但在這個領域，普通IGBT企業想要分一杯羹并不容易。當下，國產IGBT進入的主要領域還是工業領域，這個領域對國產IGBT的接受度已經非常高。變頻白色家電也具有廣闊市場前景，以空調為例，按照國家政策，2020年停止生產非變頻空調，2021年停止銷售非變頻空調。而目前變頻空調的市場占比只有50%，這就意味著未來短短半年的時間內變頻空調要增產一倍。而變頻空調的核心器件就是IGBT為核心的IPM模塊，變頻空調的壓縮機、內機風扇、外機風扇均需IPM來實現變頻控制。

國內IGBT軍團崛起

IGBT是事關國家經濟發展的基礎性產品，如此重要的IGBT，長期以來我國卻不得不面對依賴進口的尷尬局面，市場主要被英飛凌、三菱、富士電機為首的國際巨頭壟斷。自2005年開始，大量海外IGBT人才紛紛歸國投入國產IGBT芯片和模塊產業的發展，尤其是以美國國際整流器公司（IR）回國人員*多。

從IR歸國主要從事芯片開發的專家有斯達半導湯藝博士、達新半導體陳智勇博士、陸芯科技張杰博士等，以上幾家公司都已成為以自產IGBT芯片為主的產品公司。另外IR歸國從事模塊開發的專家還有銀茂微電子莊偉東博士。中科院微電子所較早涉足IGBT行業，主要由無錫中科君芯承擔IGBT研發工作，中科君芯的研發團隊先后有微電子所、IR、日本電裝、成電等技術團隊的加入。

斯達半導作為國內IGBT行業的領軍企業，成立于2005年，于2020年2月4日在上交所主板成功上市。公司自主研發設計的IGBT芯片和快恢復二極管芯片是公司的核心競爭力之一。據IHSMarkit報告數據顯示，在2018年度IGBT模塊供應商全球市場份額排名中，斯達半導排名第8位，在中國企業中排名第1位，成為世界排名前十中唯壹一家中國企業。其中斯達半導自主研發的**代芯片（國際第六代芯片FS-Trench）已實現量產，成功打破了國外企業常年對IGBT芯片的壟斷。

隨著行業景氣度逐漸好轉和政策的推動，亦有不少新進入者搶奪市場。據集邦咨詢分析，目前市場新入者主要有三類，一是向IGBT等優異產品擴展業務的功率半導體企業，如揚杰科技、華微電子等；二是出于為滿足自身需求及出于供應鏈**考慮向上游涉足的，如中車時代和比亞迪等；三是看好市場而進場的新公司，如瑞能半導體、廣東芯聚能以及富能半導體等。

在IGBT方面揚杰科技于2018年3月控股了一條位于宜興的6英寸晶圓線，目前該生產線已經量產IGBT芯片，主要應用于電磁爐等小家電領域。另外揚杰科技也在積極推進IGBT新模塊產品的研發進程，50A/75A/100A-1200V半橋規格的IGBT開發成功。此外公司也積極規劃8英寸線建設，儲備8英寸線晶圓和IGBT技術人才。

在IDM模式廠商中，中國中車和比亞迪分別依靠高鐵和新能源汽車取得了一定的成績。

株洲中車時代半導體有限公司（簡稱：中車時代半導體）作為中車時代電氣股份有限公司下屬全資子公司，負責公司半導體產業經營。從1964年開始投入功率半導體技術的研發與產業化，2008年戰略并購英國丹尼克斯公司，目前已成為國際少數同時掌握大功率晶閘管、IGCT、IGBT及SiC器件及其組件技術的IDM（集成設計制造）模式企業代表，擁有芯片—模塊—裝置—系統完整產業鏈。

中車時代半導體擁有國內首條、全球**條8英寸IGBT芯片線，全系列高可靠性IGBT產品已**解決軌道交通核心器件受制于人的局面，基本解決了特高壓輸電工程關鍵器件國產化的問題，并正在解決我國新能源汽車核心器件自主化的問題。

比亞迪是在2005年進入IGBT產業，于2009年推出首款車規級IGBT 1.0技術，打破了國際廠商壟斷，實現了我國在車用IGBT芯片技術上零的突破。2018年其推出的IGBT 4.0產品在電流輸出、綜合損耗及溫度循環壽命等許多關鍵指標上超越了英飛凌等主流企業的產品，且產能已達5萬片，并實現了對外供應。公司也是中國唯壹一家擁有IGBT完整產業鏈的車企，包括IGBT芯片設計、晶圓制造、模塊封裝等部分，還有仿真測試以及整車測試。好消息是，據長沙晚報近日報道，長沙比亞迪IGBT項目日前已正式啟動建設，計劃建設集成電路制造生產線。

在IGBT新進玩家中，振華科技參股20%的成都森未科技有限公司是一家由清華大學和中國科學院博士團隊創立的高科技企業，公司成立于2017年，主要從事IGBT等功率半導體芯片及產品的設計、開發、銷售。森未科技IGBT芯片產品性能已可以對標英飛凌產品。公司主營產品電壓等級為600V-1700V，單顆芯片電流規格5A-200A，覆蓋工業控制、變頻家電、電動汽車、風電伺服驅動、光伏逆變器等領域。

除了上述提到的企業，國內的IGBT在芯片設計、晶圓制造、模塊封裝等整個產業鏈基本都已有布局。整體來看，中國IGBT產業鏈正逐步具備國產替代能力。

國內的IGBT整個產業鏈梳理（制表：半導體行業觀察）

IGBT產業鏈配套還不足，與國外差距明顯

目前中國IGBT行業已經能夠具備一定的產業鏈協同能力，但國內IGBT技術在芯片設計、晶圓制造、模塊封裝等環節目前均處于起步階段。晶圓制造、背板減薄和封裝工藝是IGBT制造技術的主要難點，在這些方面我們與國外企業差距較為明顯。

目前IGBT發展面臨的*大問題是上游對IGBT的技術和產能支持的不足，且下游對國產IGBT的信任度不高。而且國內IGBT企業規模偏小，投入也不足。

其次，與國外廠商相比，國內公司在大尺寸晶圓生產商工藝仍落后于全球龍頭，晶圓越大，單片晶圓產出的芯片就越多，在制造加工流程相同的條件下，單位芯片的制造成本會更低。目前，IGBT 產品*具競爭力的生產線是8英寸和12英寸，*為優越的廠商是英飛凌，國內晶圓生產企業此前絕大部分還停留在6英寸產品的階段。目前國內實現8英寸產品量產的有比亞迪、株洲中車時代、上海先進、華虹宏力、士蘭微，并且士蘭微12寸晶圓產線預計2020年底量產。

IGBT對背面工藝和減薄工藝技術要求高。其中背面工藝中的退火激活難度極大；在減薄工藝上，我國還相對落后，目前國內普遍可以將晶圓減薄到175μm，2018年12月份比亞迪公布能將晶圓減薄到120μm。而英飛凌制造的IGBT芯片*低可減薄到40um。在同尺寸產線橫向比較上，國內的晶圓產線良率與國際龍頭相比還存在一定差距。

除了晶圓生產方面，在封裝方面也存在制約。車用IGBT的散熱效率要求比工業級要高得多，逆變器內溫度*高可達120℃，同時還要考慮強振動條件。因此封裝要求遠高于工業級別。而IGBT封裝的主要目的是散熱，其關鍵是材料。在IGBT封裝材料方面，日本在全球遙遙優越，德國和美國處于跟隨態勢，我國的材料科學則相對落后。

所以，可以看出，IGBT是一個對產線工藝細節依賴性極強的公司，以英飛凌自己報告為例，同樣的設計，在6寸和8寸晶圓生產線上產出的產品性能差異極大，同樣兩條8寸晶圓生產線上產出的產品同樣性能差異極大。這就意味著設計公司不能跳出代工廠的支持獨立存在。所以，*好的路線就是IDM，這也是IGBT企業走向大而強的必經之路。

所以，還是那句話，當下我們還離不開IGBT！總體來看，我國在IGBT領域已基本解決了0到1的問題，未來需要經歷的或者說正在經歷的是1到100的漫長過程。國產IGBT廠商只需埋頭苦干，不斷提高性能和品質，未來可期！