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北京捷拓紫荊科技有限公司
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HITACHI日立IGBT模塊
GTR(達(dá)林頓)及場效應(yīng)模塊系列Darlington (GRT) and field effect module series
場效應(yīng)模塊MOSFET(MITSUBISHI、IR.、FUJI、SANREX、IXYS、三菱、西門子、西門康)
摩托羅拉GTR模塊 MOTOROLA GTR module
西門康GTR模塊 XiMenKang GTR module
東芝GTR(達(dá)林頓)模塊 Toshiba GTR (darlington) module
三社GTR(達(dá)林頓)模塊 SanRex GTR (darlington) module
日本三墾GTR(達(dá)林頓)模塊 Sanken GTR (darlington) module
富士GTR(達(dá)林頓)模塊 Fuji GTR (darlington) module
PRX廠家GTR(達(dá)林頓)模塊 GTR PRX manufacturer (darlington) module
日本三菱GTR(達(dá)林頓)模塊 Japan's mitsubishi GTR (darlington) module
IGBT模塊系列 Series of IGBT module
英飛凌IGBT功率模塊Infineon IGBT power module
優(yōu)派克IGBT功率模塊EUPECIGBT power module
西門子IGBT功率模塊Siemens IGBT power module
ABB廠家IGBT功率模塊
西門康IGBT模塊 XiMenKang IGBT module
日本三墾IGBT模塊 Sanken IGBT module
東芝IGBT高速型、東芝IGBT低導(dǎo)通壓降型Toshiba IGBT type high-speed, Toshiba IGBT type low conduction voltage drop
富士IGBT模塊\大功率IGBT模塊 Fuji IGBT module, high power IGBT modules
日本三社廠家IGBT模塊 Japan's SanRex IGBT module
三菱IGBT模塊+單管IGBT Mitsubishi IGBT modules + single-tube IGBT
智能IGBT、IPM、PIM系列 Intelligent, IGBT, IPM, PIM series
東芝IPM功率模塊Toshiba power module IPM
富士IPM功率模塊Fuji IPM power module
三菱IPM功率模塊
三菱智能IGBT功率模塊Mitsubishi IGBT intelligent power module
整流橋系列 Series rectifier bridge
富士整流橋模塊
普通整流二極管及快恢復(fù)二極管模塊系列 Ordinary series rectifier diodes, fast recovery diode module
富士整流二極管
三菱整流二極管
可控硅模塊系列 Series thyristor modules
IXYS可控硅模塊IXYS thyristor modules
東芝可控硅模塊Toshiba thyristor modules
富士廠家可控硅Fuji factory SCR
優(yōu)派克可控硅模塊Optimal parker thyristor modules
西門康可控硅模塊XiMenKang thyristor modules
IR廠家可控硅模塊IR manufacturer thyristor modules
SanRex日本三社廠家可控硅模塊SanRex Japan three clubs thyristor module manufacturer
POWERSEM廠家可控硅模塊POWERSEM thyristor module manufacturer
日本國際電子公司可控硅模塊The Japan international electronics thyristor modules
三菱可控硅模塊Mitsubishi thyristor modules
電子元器件、材料代理 Electronic components, materials agent
各進(jìn)口品牌驅(qū)動電路、三菱智能模塊IPM配套專用插座、光耦系列All import brand drive circuit, intelligent module IPM of mitsubishi s
電源模塊系列 Power supply module series
進(jìn)口電流電壓傳感器 To import the current voltage sensor
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IGBT的基礎(chǔ)知識 文章鏈接:中國智能制造網(wǎng) http://www.gkzhan.com/company_news/detail/97328.html
1.IGBT模塊的術(shù)語及其特性術(shù)語說明
集電極、發(fā)射極間處于交流短路狀態(tài),在柵極、發(fā)射極間及集電極、發(fā)射極間加上指定電壓時,柵極、發(fā)
射極間的電容
2.IGBT模塊使用上的注意事項(xiàng)
1.IGBT模塊的選定
在使用IGBT模塊的場合,選擇何種電壓,電流規(guī)格的IGBT模塊,需要做周密的考慮。
a.電流規(guī)格
IGBT模塊的集電極電流增大時,VCE(-)上升,所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時,開關(guān)損耗增大,原件發(fā)熱
加劇。因此,根據(jù)額定損耗,開關(guān)損耗所產(chǎn)生的熱量,控制器件結(jié)溫(Tj)在150oC以下(通常為**起
見,以125oC以下為宜),請使用這時的集電流以下為宜。特別是用作高頻開關(guān)時,由于開關(guān)損耗增大,
發(fā)熱也加劇,需十分注意。
一般來說,要將集電極電流的*大值控制在直流額定電流以下使用,從經(jīng)濟(jì)角度這是值得推薦的。
b.電壓規(guī)格
IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即市電電源電壓緊。根據(jù)使用目的,并參考本表,請選擇相
應(yīng)的元件。
2.防止靜電
IGBT的VGE的耐壓值為±20V,在IGBT模塊上加出了超出耐壓值的電壓的場合,由于會導(dǎo)致?lián)p壞的危險,因
而在柵極-發(fā)射極之間不能超出耐壓值的電壓,這點(diǎn)請注意。
在使用裝置的場合,如果柵極回路不合適或者柵極回路完全不能工作時(珊極處于開路狀態(tài)),若在主回
路上加上電壓,則IGBT就會損壞,為防止這類損壞情況發(fā)生,應(yīng)在柵極一發(fā)射極之間接一只10kΩ左左的
電阻為宜。
此外,由于IGBT模塊為MOS結(jié)構(gòu),對于靜電就要十分注意。因此,請注意下面幾點(diǎn):
1)在使用模塊時,手持分裝件時,請勿觸摸驅(qū)動端子部份。
2)在用導(dǎo)電材料連接驅(qū)動端子的模塊時,在配線未布好之前,請先不要接上模塊。
3)盡量在底板良好接地的情況下操作。
4)當(dāng)必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電放電后,再觸摸。
5)在焊接作業(yè)時,焊機(jī)與焊槽之間的漏泄容易引起靜電壓的產(chǎn)生,為了防止靜電的產(chǎn)生,請先將焊
機(jī)處于良好的接地狀態(tài)下。
6)裝部件的容器,請選用不帶靜電的容器。
3.并聯(lián)問題
用于大容量逆變器等控制大電流場合使用IGBT模塊時,可以使用多個器件并聯(lián)。
并聯(lián)時,要使每個器件流過均等的電流是非常重要的,如果一旦電流平衡達(dá)到破壞,那么電過于集中的那
個器件將可能被損壞。
為使并聯(lián)時電流能平衡,適當(dāng)改變器件的特性及接線方法。例如。挑選器件的VCE(sat)相同的并
聯(lián)是很重要的。
4.其他注意事項(xiàng)
1)保存半導(dǎo)體原件的場所的溫度,溫度,應(yīng)保持在常溫常濕狀態(tài),不應(yīng)偏離太大。常溫的規(guī)定為5
-35℃,常濕的規(guī)定為45—75%左右。
2)開、關(guān)時的浪涌電壓等的測定,請?jiān)诙俗犹帨y定。
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